公开/公告号CN109159014A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏英锐半导体有限公司;
申请/专利号CN201811166793.9
发明设计人 王昌华;
申请日2018-10-08
分类号B24B29/02(20060101);B24B41/06(20120101);B24B47/22(20060101);
代理机构32280 常州市权航专利代理有限公司;
代理人袁兴隆
地址 224000 江苏省盐城市盐城经济技术开发区综合保税区纽约中路1号3号标准厂房
入库时间 2024-02-19 06:33:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-01
实质审查的生效 IPC(主分类):B24B29/02 申请日:20181008
实质审查的生效
2019-01-08
公开
公开
机译: 用于制造晶圆太阳能电池和在线PECVD工厂的半导体晶圆上等离子增强氧化铝薄层沉积的方法
机译: 一种用于测量诸如半导体晶圆之类的物体的层厚度和其他表面特性的光学方法
机译: 用于半导体制造晶圆加工的高生产率PECVD工具