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【2h】

Impacts of Annealing Conditions on the Flat Band Voltage of Alternate LaO/AlO Multilayer Stack Structures

机译：退火条件对交替LaO / AlO多层堆叠结构平带电压的影响

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1. Impacts of Annealing Conditions on the Flat Band Voltage of Alternate La2O3/Al2O3 Multilayer Stack Structures [J] . Xing-Yao Feng, Hong-Xia Liu, Xing Wang, Nanoscale Research Letters . 2016,第1期

机译：退火条件对交替La 2 O 3 / Al 2 O 3 多层叠层扁带电压的影响结构体
2. Direct evidence of flat band voltage shift for TiN/LaO or ZrO/SiO2 stack structure via work function depth profiling [J] . Sung Heo, Hyoungsun Park, Dong-Su Ko, Scientific reports. . 2017,第1期

机译：通过工作功能深度分析的锡/老挝或ZRO / SiO2堆叠结构的平带电压转移的直接证据
3. Impact of starting measurement voltage relative to flat-band voltage position on the capacitance-voltage hysteresis and on the defect characterization of InGaAs/high-k metal-oxide-semiconductor stacks [J] . Abhitosh Vais, Jacopo Franco, Han-Chung Lin, Applied Physics Letters . 2015,第22期

机译：起始测量电压相对于平带电压位置的变化对电容电压滞后以及InGaAs /高k金属氧化物半导体叠层的缺陷表征的影响
4. Flatband Voltage Tuning of HfSiON-based Gate Stacks: Impact of High Temperature Activation Annealing and LaO_x Capping Layers [C] . R. Boujamaa, S. Baudot, E. Martinez, International symposium on silicon nitride, silicon dioxide, and emerging dielectrics;Meeting of the Electrochemical Society . 2011

机译：基于HfSiON的栅极堆叠的平带电压调整：高温激活退火和LaO_x封盖层的影响
5. Embedded multilayer thin film stacks as polarizing beam splitters and wave retarders operating under condition of frustrated total internal reflection. [D] . Perla, Siva Reddy. 2007

机译：嵌入式多层薄膜堆栈，作为偏振分束器和波阻片，在沮丧的全内反射条件下工作。
6. Impacts of Annealing Conditions on the Flat Band Voltage of Alternate La2O3/Al2O3 Multilayer Stack Structures [O] . Xing-Yao Feng, Hong-Xia Liu, Xing Wang, 2016

机译：退火条件对交替La2O3 / Al2O3多层堆叠结构平带电压的影响
7. Direct evidence of flat band voltage shift for TiN/LaO or ZrO/SiO2 stack structure via work function depth profiling [O] . Sung Heo, Hyoungsun Park, Dong-Su Ko, 2017

机译：通过工作功能深度分析的锡/老挝或ZRO / SiO2堆叠结构的平带电压转移的直接证据

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