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多层堆叠封装结构和多层堆叠封装结构的制备方法

摘要

本发明的实施例提供了一种多层堆叠封装结构和多层堆叠封装结构的制备方法,涉及芯片封装技术领域,将多个结构芯片层叠在基底芯片上,同时在每个结构芯片的上侧设置第一布线层,第一布线层与结构芯片电连接,并且在塑封体内设置导电柱,导电柱向下贯通塑封体并与介质基板电连接,第一布线层与导电柱电连接。通过采用导电柱和第一布线层的结构,替代现有的打线结构,使得结构芯片能够实现与介质基板电连接,避免采用打线方式实现芯片的电连接,从而避免了导线桥接/断线的风险,同时能够缩小封装结构的尺寸,有利于产品的微型化。

著录项

  • 公开/公告号CN112768437B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 甬矽电子(宁波)股份有限公司;

    申请/专利号CN202110375294.6

  • 发明设计人 徐林华;张超;

    申请日2021-04-08

  • 分类号H01L25/065(20060101);H01L21/50(20060101);

  • 代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人刘曾

  • 地址 315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号

  • 入库时间 2022-08-23 11:58:42

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