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多层堆叠封装结构和多层堆叠封装结构的制备方法

摘要

本发明的实施例提供了一种多层堆叠封装结构和多层堆叠封装结构的制备方法,涉及芯片封装领域,该多层堆叠封装结构包括基板、第一基底芯片、第二基底芯片、多个第一结构芯片、多个第二结构芯片和塑封体,第一基底芯片和第二基底芯片对称贴装,同时多个第一结构芯片螺旋堆叠形成第一螺旋结构,多个第二结构芯片螺旋堆叠形成第二螺旋结构,使得多个第一结构芯片和多个第二结构芯片旋转且错位向上堆叠,通过采用中心对称和螺旋堆叠的方式,使得在第一基底芯片上能够同时堆叠多个第二结构芯片,提高了堆叠数量,降低了封装尺寸,并且螺旋错位的堆叠方式也有利于结构的散热和打线,同时也保证了结构的稳定性,增加了产品的集成度。

著录项

  • 公开/公告号CN112768443B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 甬矽电子(宁波)股份有限公司;

    申请/专利号CN202110375257.5

  • 发明设计人 吴春悦;何正鸿;

    申请日2021-04-08

  • 分类号H01L25/18(20060101);H01L23/31(20060101);H01L21/50(20060101);H01L21/56(20060101);

  • 代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人刘曾

  • 地址 315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号

  • 入库时间 2022-08-23 12:00:57

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