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【2h】

Next generation avalanche photodiodes: realising new potentials using nm wide avalanche regions

机译：下一代雪崩光电二极管：利用纳米级雪崩区域实现新的潜力

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Moreno Manuel;
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年度 2016
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2. A model for the jitter of avalanche photodiodes with separate absorption and multiplication regions [J] . F. Rosset, A. Pilotto, L. Selmi, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. B, Beam Interactions with Materials and Atoms . 2020,第Octa11期

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3. Avalanche Photodiode Array Based on InGaAs/InAlAs/InP Heteroepitaxial Structures with Separated Absorption and Multiplication Regions [J] . Yakovleva N. I., Boltar K. O., Irodova N. A., Journal of Communications Technology and Electronics . 2020,第3期

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