机译:包含40 nm AlAsSb雪崩区域的低噪声雪崩光电二极管
Dept. of Electron. & Electr. Eng., Univ. of Sheffield, Sheffield, UK;
AlAsSb; avalanche gain; excess noise; separate absorption and multiplication avalanche photodiode;
机译:具有碰撞电离工程倍增区的高速低噪声SACM雪崩光电二极管
机译:具有“中心阱”倍增区的超低噪声雪崩光电二极管
机译:具有“中心阱”倍增区的超低噪声雪崩光电二极管
机译:AlAsSb薄雪崩区具有低于mV / K的击穿电压温度系数和非常低的过量噪声因子
机译:具有碰撞电离工程倍增区域的低噪声雪崩光电二极管。
机译:位置敏感雪崩光电二极管的信号和噪声属性
机译:下一代雪崩光电二极管:利用纳米级雪崩区域实现新的潜力