Preparation of surfaces with diffusion barrier for studying initial phase of semiconductor nanowire growth

摘要

Tato práce se zabývá přípravou povrchů s difuzními bariérami pro studium růstu germaniových nanodrátů. V práci je představen princip růstu polovodičových nanodrátů, úloha grafenu a oxidu hlinitého jako difuzních bariér při tomto růstu a jejich příprava. Grafen byl připraven metodou CVD a oxid hlinitý metodou ALD. Ukázalo se, že nanodráty na připravených vzorcích s difuzními bariérami nerostou.