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【2h】

SiCCSi antisite pairs in SiC identified as paramagnetic defects with strongly anisotropic orbital quenching

机译：SiC中的SiCCSi反位对被确定为具有强各向异性轨道淬火的顺磁缺陷

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8 páginas, 6 figuras, 4 tablas.-- et al.

机译：8页，6位数字，4个表格。-等

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作者
Gerstmann, U.; García López, J.;
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年度 2013
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正文语种 eng
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