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申三国;
郑州大学物理系;
半导体; 电子结构; 磷化镓; 反位缺陷;
机译:手性(6,2)SiC纳米管中反位缺陷的电子结构
机译:反位缺陷对Bi 2 sub> Te 3 sub>拓扑绝缘体电子结构的影响
机译:SrTiO_3中TiSr反位缺陷的多铁性和电磁效应的第一性原理分析
机译:负载型MOx / ZSM-5催化剂中催化活性位的性质:固定位,电子结构,分子结构和反应性。
机译:用Ag代替Cu2ZnSn(SSe)4中的Cu:面向薄膜太阳能电池具有低反位缺陷的宽带隙吸收剂
机译:钇铝石榴石中反位缺陷的原子与电子结构:密度泛函研究
机译:Gaas中大块和表面砷反位缺陷的特征(110)
机译:不对称数据通道中的位恢复方法,特别是与补偿介质的缺陷和从记录介质中获得的数据流中的缺陷有关
机译:用于估计系统性红斑狼疮发病风险的组成,包括用于确定1Q25.1(RABGAP1L)位置,6P21.32(C4)位置和10.Q21.3位置中DNA拷贝数变异的引物
机译:具有多个微电子结构的微电子结构,该微电子结构与嵌入在微电子基板中的微电子桥相连
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