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【2h】

High-Current-Drive Dual-Gate a-IGZO TFT With Nanometer Dotlike Doping

机译：具有纳米点状掺杂的高电流驱动双栅极a-IGZO TFT

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作者
Chun-Hung Liao; Chang-Hung Li; Hsiao-Wen Zan; Hsin-Fei Meng; Chuang-Chuang Tsai;
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年度 2013
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1. High-Current-Drive Dual-Gate a-IGZO TFT With Nanometer Dotlike Doping [J] . Liao C.-H., Li C.-H., Zan H.-W., IEEE Electron Device Letters . 2013,第10期

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