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Page Replacement for Write References in NAND Flash Based Virtual Memory Systems

机译：基于NAND Flash虚拟内存系统的写入引用的页面替换

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Hyejeong Lee; Hyokyung Bahn; Kang G. Shin;
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年度 2014
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机译：基于闪存的存储系统的协作虚拟内存和写缓冲区管理
2. A flash-aware write buffer scheme to enhance the performance of superblock-based NAND flash storage systems [J] . Ning Lu, In-Sung Choi, Shin-Dug Kim Microprocessors and microsystems . 2013,第3期

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3. Exploiting Process Variation for Write Performance Improvement on NAND Flash Memory Storage Systems [J] . Shi Liang, Di Yejia, Zhao Mengying, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on . 2016,第1期

机译：利用工艺差异来提高NAND闪存存储系统的写入性能
4. Characterizing virtual memory write references for efficient page replacement in NAND flash memory [C] . Lee Hyejeong, Bahn Hyokyung Modeling, Analysis amp; Simulation of Computer and Telecommunication Systems, 2009. MASCOTS '09 . 2009

机译：表征虚拟存储器写入参考，以在NAND闪存中进行有效的页面替换
5. Write-Activity-Aware NAND Flash Memory Management for PCM-based Embedded Systems. [D] . Liu, Duo. 2012

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7. PCM-FTL : a write-activity-aware NAND flash memory management scheme for PCM-Based embedded systems [O] . Liu DUO, Wang T, Wang YI, 2011

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