机译:一种闪存感知写缓冲区方案,可增强基于超级块的NAND闪存系统的性能
Department of Computer Science, Yonsei University, 134 Shinchon-Dong Sudaemoon-Ku, Seoul 120-749, Republic of Korea;
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Department of Computer Science, Yonsei University, 134 Shinchon-Dong Sudaemoon-Ku, Seoul 120-749, Republic of Korea;
NAND Hash; Storage system; Solid state disk; Flash memory; Write buffer;
机译:CalmWPC:一种缓冲区管理,可缓解基于NAND闪存的存储系统的写入性能下降
机译:具有即时重做功能的闪存感知缓冲方案,可实现闪存中的高效数据管理
机译:用于NAND闪存的性能和耐用性增强的可写感知缓冲区管理策略
机译:混合写缓冲区算法可提高nand闪存的性能和耐用性
机译:基于PCM的嵌入式系统的可写活动感知NAND闪存管理。
机译:用于减少Z干扰的垂直NAND闪存的新型程序方案
机译:PCM-FTL:一种用于基于PCM的嵌入式系统的写活动感知NAND闪存管理方案