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基于NAND闪存的缓冲区管理优化算法研究

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声明

第一章 绪论

1.1研究背景与意义

1.2国内外研究现状

1.3本文研究内容及主要工作

1.4本文组织结构

第二章 NAND闪存相关工作

2.1 NAND闪存相关介绍

2.2 NAND闪存地址映射相关技术

2.3缓冲区页面替换算法管理

2.4本章小结

第三章 基于请求的NAND闪存页地址映射算法

2.5引言

2.6闪存转换层架构

2.7基于NAND闪存的页映射方法

2.8页地址映射算法详细设计

2.9本章小结

第三章 基于访问概率的NAND闪存缓冲区页面替换算法

3.1引言

3.2 PR-LRU页面替换策略

3.3 PR-LRU算法的详细设计

3.4本章小结

第四章 实验分析

4.1测试平台与参数设置

4.2基于请求的NAND闪存页地址映射算法实验

4.3基于访问概率的NAND闪存缓冲区页面替换算法实验

4.4本章小结

第五章 总结与展望

5.1本文工作总结

5.2未来展望

致谢

参考文献

附录

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著录项

  • 作者

    申烨婷;

  • 作者单位

    杭州电子科技大学;

  • 授予单位 杭州电子科技大学;
  • 学科 计算机技术
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 袁友伟;
  • 年度 2018
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类
  • 关键词

    NAND闪存; 缓冲区; 管理优化;

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