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机译:基于1V高PSRR OPAM的β-倍增器CMOS带隙电压参考,具有电阻划分
Anass SLAMTI; Youness MEHDAOUI; Driss CHENOUNI; Zakia LAKHLIAI;
机译:使用分段曲率温度补偿技术从无电阻CMOS带隙基准电路产生低于1V的基准电压
机译:SUB-1 V,5.5 ppm /°C,高PSRR全部CMOS带隙电压参考
机译:高PSRR高阶曲率补偿CMOS带隙基准电压源
机译:新的低压,高PSRR,CMOS带隙电压参考
机译:基于阈值电压差架构的CMOS技术的低于1V的电源参考电压。
机译:具有高PSRR增强能力的180 nm自偏置带隙基准
机译:SUB-1V NANOPOWER CMOS仅带隙电压参考
机译:CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的无OPAMP带隙基准电压源
机译:CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的免运放带隙基准电压
机译:基于电源电压独立带隙的参考发生器电路,用于SOI / BULK CMOS技术
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