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【2h】

Factors Controlling Pattern Formation in Chemically Amplified Resists at Sub-100 nm Dimensions.

机译：控制在亚100nm尺寸的化学放大抗蚀剂中的图案形成的因素。

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W. Hinsberg; F. Houle; G. Wallraff; M. Sanchez; M. Morrison; J. Hoffnagle;
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年度 1999
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1. Theoretical study of fabrication of line-and-space patterns with 7 nm quarter-pitch (7 nm space width and 21 nm line width) using electron beam lithography with chemically amplified resist processes: I. Relationship between sensitivity and chemical gradient [J] . Kozawa Takahiro Japanese journal of applied physics . 2015,第5期

机译：使用化学放大的抗蚀剂工艺的电子束光刻技术制造7纳米四分之一间距（7纳米间距和21纳米线宽）的线和间隔图案的理论研究：I.灵敏度和化学梯度之间的关系
2. Quencher Effects at 22 nm Pattern Formation in Chemically Amplified Resists [J] . Takahiro Kozawa, Seiichi Tagawa, Julius Joseph Santillan, Japanese journal of applied physics . 2008,第7issue1期

机译：化学放大抗蚀剂在22 nm图案形成时的猝灭效应
3. Effect of thermalization distance on chemical gradient of line-and-space patterns with 7 nm half-pitch in chemically amplified extreme ultraviolet resists [J] . Kozawa Takahiro, Santillan Julius Joseph, Itani Toshiro Japanese journal of applied physics . 2015,第6期

机译：热化距离对化学放大的极紫外光抗蚀剂中具有7 nm半节距的线间距图形的化学梯度的影响
4. Formation of sub-100 nm contact hole patterns using a novel resist material [C] . Sang-Jun Choi, Yool Kang . 2000

机译：使用新型抗蚀剂材料形成100 nm以下的接触孔图案
5. Surface chemistry study of gallium arsenide wafers during chemically amplified resist patterning and resist studies with fluorescence. [D] . Lu, Bing. 2000

机译：砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行，并通过荧光进行抗蚀剂研究。
6. Sub-100 nm Patterning of Supported Bilayers by Nanoshaving Lithography [O] . Jinjun Shi, Jixin Chen, Paul S. Cremer -1

机译：纳米拉丝光刻技术对支持的双层膜进行亚100纳米图案化
7. Characterization of a non-chemically amplified resist for photomask fabrication using a 257 nm optical pattern generator [O] . Benjamen M. Rathsack, Cyrus E. Tabery, Timothy B. Stachowiak, 1999

机译：使用257nm光学图案发生器表征用于光掩模制造的非化学放大抗蚀剂

Factors Controlling Pattern Formation in Chemically Amplified Resists at Sub-100 nm Dimensions.

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