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Device Characterisation of Short Channel Devices and its Impact on CMOS Circuit Design

机译：短信装置的设备表征及其对CMOS电路设计的影响

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Kiran Agarwal Gupta;
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年度 2012
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1. Device Characterisation of Short Channel Devices and its Impact on CMOS Circuit Design [J] . Kiran Agarwal Gupta, Dinesh K Anvekar, Venkateswarlu V International Journal of VLSI Design & Communication Systems . 2012,第5期

机译：短通道器件的器件表征及其对CMOS电路设计的影响
2. Performance projections of scaled CMOS devices and circuits with strained Si-on-SiGe channels [J] . Fossum J.G., Weimin Zhang IEEE Transactions on Electron Devices . 2003,第4期

机译：具有应变Si-on-SiGe通道的按比例缩放CMOS器件和电路的性能预测
3. Circuits Design for Contactless Testing of Nano-Scale CMOS Devices and Circuits [J] . Xiao Peng Yu, Zheng Hao Lu, Wei Meng Lim, Nanoscience and Nanotechnology Letters . 2012,第9期

机译：用于纳米级CMOS器件和电路的非接触式测试的电路设计
4. Accurate evaluation of CMOS short-circuit power dissipation for short-channel devices [C] . L. Bisdounis, O. Koufopavlou, S. Nikolaidis International symposium on Low power electronics and design . 1996

机译：准确评估短通道器件的CMOS短路功耗
5. Non-Silicon CMOS Devices and Circuits on High Mobility Channel Materials: Germanium and III-V [D] . Wu, Heng. 2016

机译：高迁移渠道材料的非硅CMOS器件和电路：锗和III-V
6. Characteristic Fluctuations of Dynamic Power Delay Induced by Random Nanosized Titanium Nitride Grains and the Aspect Ratio Effect of Gate-All-Around Nanowire CMOS Devices and Circuits [O] . Yiming Li, Chieh-Yang Chen, Min-Hui Chuang, 2019

机译：随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
7. Operational Amplifier Design in CMOS at Low-Voltage for Sensor Input Front-End Circuits in VLSI Devices [O] . Muhaned Zaidi, Ian Grout, Abu Khari A’ain 2018

机译：在VLSI设备中的传感器输入前端电路的低压下的CMOS运行放大器设计
8. LDRD Final Report - Investigations of the impact of the process integration of deposited magnetic films for magnetic memory technologies on radiation-hardened CMOS devices and circuits - LDRD Project (FY99) [R] . 2000

机译：LDRD最终报告 - 研究沉积磁性薄膜在磁记忆技术上的工艺整合对辐射强化CmOs器件和电路的影响 - LDRD项目（FY99）

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