Non-Silicon CMOS Devices and Circuits on High Mobility Channel Materials: Germanium and III-V

著录项

• 作者

  Wu, Heng.;

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• 作者单位

  Purdue University.;

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• 授予单位 Purdue University.;
• 学科
• 学位 Ph.D.
• 年度 2016
• 页码 269 p.
• 总页数 269
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 AAI10188205;
• 关键词

  CMOS; Electronic devices; Germanium; III-V; Integrated circuits; Microelectronics;

  机译：CMOS;电子设备;锗;III-V;集成电路;微电子;