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机译:外延石墨烯的碳化硅堆叠令诱导的掺杂变化
Davood Momeni Pakdehi; Philip Schädlich; Thi Thuy Nhung Nguyen; Alexei A. Zakharov; Stefan Wundrack; Emad Najafidehaghani; Florian Speck; Klaus Pierz; Thomas Seyller; Christoph Tegenkamp; Hans Werner Schumacher;
机译:碳化硅堆叠顺序诱导外延曲面中的掺杂变化
机译:外延石墨烯的高温真空生长增强掺杂6H碳化硅(0001)的锂化
机译:外延石墨烯/硅碳化硅肖特基触点的电纳米特征
机译:2-D电子材料:6h-碳化硅上石墨烯的外延生长(0001)
机译:在碳化硅上的多层外延石墨烯:用环境污染物掺入海水样品的稳定工作电极
机译:通过横向外延沉积的碳化硅上高度有序的氮化硼/形状外延薄膜
机译:制备用于外延层特别是SiC和石墨烯生长的碳化硅衬底的方法
机译:石墨烯从掺杂碳化硅基质中富集和转移石墨烯的方法
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