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METHOD FOR EXFOLIATING AND TRANSFERRING GRAPHENE FROM A DOPED SILICON CARBIDE SUBSTRATE TO ANOTHER SUBSTRATE

机译：石墨烯从掺杂碳化硅基质中富集和转移石墨烯的方法

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摘要

The present invention refers to a method for exfoliating and transferring graphene from a doped silicon carbide substrate to another substrate, the method being based on exfoliation induced by hydrogen bubbles produced in the electrolysis of water.

机译：本发明涉及一种将石墨烯从掺杂的碳化硅衬底剥离并转移到另一衬底的方法，该方法基于由水电解中产生的氢气泡引起的剥离。

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公开/公告号US2020031675A1

专利类型
公开/公告日2020-01-30

原文格式PDF
申请/专利权人 CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÌFICAS (CSIC);CENTRO DE INVESTIGACIÓN BIOMEDICA EN RED (CIBER);
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申请/专利号US201716474282
发明设计人 GEMMA RIUS SUÑÉ;PHILIPPE GODIGNON;ROSA VILLA SANZ;ELISABET PRATS ALFONSO;
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申请日2017-12-27
分类号C01B32/19;C25D9/04;C01B32/956;
国家 US
入库时间 2022-08-21 11:20:42

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