Protection unit for radiation induced errors in flash memory systems

机译：闪存系统中辐射感应误差的保护单元

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

Thesis (MScEng)--University of Stellenbosch, 2004.

机译：论文（硕士）-斯泰伦博斯大学，2004。

著录项

作者
Bryer Bevan;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2004
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en_ZA
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Radiation induced soft errors in 16 nm floating gate SLC NAND flash memory [J] . Chandrashekhar Sandhya, Puchner Helmut, Mitani Jun, Microelectronics & Reliability . 2020,第May期

机译：辐射诱导16 nm浮栅SLC NAND闪存中的软误差
2. Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory [J] . Jin-Shun Bi, Kai Xi, Bo Li, 中国物理：英文版 . 2018,第009期

机译：90 nm 64 Mb NOR型浮栅闪存中重离子引起的失调误差
3. Sample-to-Sample Variability and Bit Errors Induced by Total Dose in Advanced NAND Flash Memories [J] . Bagatin M., Gerardin S., Ferrarese F., Nuclear Science, IEEE Transactions on . 2014,第6期

机译：高级NAND闪存中总剂量引起的样品间差异和位错误
4. Soft errors induced by natural radiation at ground level in floating gate flash memories [C] . Just G., Autran J.L., Serre S., International Reliability Physics Symposium . 2013

机译：浮栅闪存中地面自然辐射引起的软错误
5. THE SIMULATION OF PULSED-IONIZING - RADIATION-INDUCED ERRORS IN CMOS MEMORY CIRCUITS. [D] . MASSENGILL, LLOYD WILSON. 1987

机译：CMOS存储器电路中脉冲电离辐射引起的误差的仿真。
6. Targeting resident memory T cell immunity culminates in pulmonary and systemic protection against Brucella infection [O] . Hongbin Wang, Carol Hoffman, Xinghong Yang, 2020

机译：针对居民记忆T细胞的免疫力最终达到针对布鲁氏菌感染的肺和全身保护
7. Protection unit for radiation induced errors in flash memory systems [O] . Bryer Bevan 2004

机译：闪存系统中辐射感应误差的保护单元
8. TID, SEE and radiation induced failures in advanced flash memories [R] . Nguyen, D. N., Scheick, L. Z. 2003

机译：高级闪存中的TID，sEE和辐射引发的故障

Protection unit for radiation induced errors in flash memory systems

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅