Patent applications; Gallium arsenides; Epitaxial growth; Germanium; Substrates; Semiconductors; Semiconductor devices; Gold alloys; Germanium alloys; Eutectic composites; Etching;
机译:GaAs外延从块状薄膜到超薄薄膜的发展。纳米结构器件的增长
机译:碳纳米管复合膜上GaAs纳米线的生长和表征:向柔性纳米器件发展
机译:高性能电子器件两步法生长三元InGaAs纳米线及其表征
机译:用于光电器件的InGaAsP膜的MOMBE生长
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:GaAs基材上MNSB薄膜的热壁生长和磁光研究。
机译:Gaas薄膜外延生长的新方法和与Gaas衬底无关的器件配置