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Interpolative modeling of GaAs FET S-parameter data bases for use in Monte Carlo simulations

机译：用于蒙特卡罗模拟的Gaas FET s参数数据库的内插建模

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A statistical interpolation technique is presented for modeling GaAs FET S-parameter measurements for use in the statistical analysis and design of circuits. This is accomplished by interpolating among the measurements in a GaAs FET S-parameter data base in a statistically valid manner.

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作者
Campbell, L.; Purviance, J.;
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作者单位

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年度 1992
页码 1-11
总页数 11
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
DATA BASES; FIELD EFFECT TRANSISTORS; MONTE CARLO METHOD; PROBABILITY DENSITY FUNCTIONS; TRANSISTOR CIRCUITS; GALLIUM ARSENIDES; INTERPOLATION;

机译：数据库;场效应晶体管;蒙特卡罗方法;概率密度函数;晶体管电路; GaLLIUm aRsENIDEs;插值;

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