ALPHA PARTICLES; DEPTH MEASUREMENT; INTEGRATED CIRCUITS; NITRIDES; OXIDES; THICKNESS; upsettable SRAMs;
机译:10T亚阈值SRAM中Alpha粒子引起的软错误和多单元不稳定性的测量和分析
机译:采用65 nm CMOS技术制造的标准和辐射硬化SRAM中的Alpha诱导的多个单元异常
机译:核反应对高密度SEU硬化SRAM中重离子单事件翻转截面测量的贡献
机译:使用alpha粒子和可设置的SRAM进行深度测量
机译:深度过滤:颗粒间相互作用的测量和预测。
机译:与深入分辨率纳米颗粒成像的剩磁基于测量的sQUID系统的开发
机译:10T亚阈值sRam中α粒子引起的软错误和多单元置乱的测量与分析