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符号对照表
缩略语对照表
第一章 绪论
1.1 FinFET器件
1.2单粒子效应(SEE)
1.3国内外研究现状
1.4本文的主要研究工作
第二章 SOI FinFET器件建模
2.1SOI FinFET器件模型建立
2.2仿真所用物理模型
2.3小结
第三章 SOI FinFET器件单粒子辐照仿真
3.1漏端电压对单粒子效应的影响
3.2不同LET值对单粒子效应的影响
3.3不同入射位置对单粒子效应的影响
3.4不同入射方向对单粒子效应的影响
3.5小结
第四章 SOI FinFET器件尺寸对单粒子效应影响
4.1Fin薄膜的厚度
4.2不同Fin高对单粒子效应的影响
4.3栅长对单粒子效应的影响
4.4小结
第五章 SOI FinFET SRAM单元的单粒子翻转研究
5.2P-FinFET建模
5.3SRAM单元电路的搭建
5.4SRAM单元的单粒子辐照仿真分析
5.5金属栅功函数对SRAM可靠性的影响
5.6小结
第六章 结论与展望
6.2研究展望
参考文献
致谢
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