...
机译:核反应对高密度SEU硬化SRAM中重离子单事件翻转截面测量的贡献
Monte Carlo methods; SRAM chips; ion beam effects; radiation hardening (electronics); semiconductor device models; Geant4 based Monte-Carlo transport code; MRED; charge deposition; electronic physics; heavy ion irradiation; heavy ion single event upset cross-secti;
机译:Geant4在重离子诱导的SRAM中模拟单事件翻转(SEU)
机译:太阳同步轨道中未硬化的高密度SRAM中单事件翻转的观察
机译:在未淬火的6T / SRAM和淬火的ADE / SRAM中重离子诱导的单事件翻转敏感性的比较
机译:TOPEX / Poseidon轨道中非硬化高密度SRAM中单事件翻转和多位翻转的观察
机译:SRAM的体系结构设计,具有片上错误检测和针对单事件翻转的纠正功能。
机译:单分子电导测量揭示电子转移反应中从随机事件到确定性总体平均的跃迁
机译:三维堆积SRAM中重离子诱导的单一事件的评价方法
机译:sEU(单事件翻转)表征硬化的CmOs 64K和256K sRam。