CHIPS (ELECTRONICS); HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; INTEGRATED CIRCUITS; MICROWAVE CIRCUITS; POWER AMPLIFIERS; MMIC power amplifier THz range HEMT process;
机译:开发高密度四级平坦增益1W 6-18GHz MMIC功率放大器芯片
机译:使用MSAG MESFET技术开发的2–8 GHz 8 W功率放大器MMIC
机译:使用MLP技术开发的0.7–2.7 GHz 12 W功率放大器MMIC
机译:用于大功率固态功率放大器的60 GHz高效HEMT MMIC芯片组开发
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:宽带20至28GHz信号发生器mmIC,输出功率为30.8dBm,基于功率放大器单元,siGe为31%paE