Epitaxy ; Gallium phosphides ; Melting points ; Semiconductor devices ; Crystal structure ; High temperature tests ; Rectifiers ; Solar cells;
机译:与砷化镓匹配的氮化铟镓砷晶格的结构,电子和光学性质的第一原理研究
机译:p型砷化铟镓上的Pd / Sb(Zn)和Pd / Ge(Zn)欧姆接触:固相再生原理的使用,以实现最佳的电学和冶金性能
机译:p型砷化铟镓上的Pd / Sb(Zn)和Pd / Ge(Zn)欧姆接触:固相生长原理的使用,以实现最佳的电学和冶金学性能
机译:氧化锡-砷化镓异质结的电学和光学性质
机译:金/砷化镓电触头的冶金和电学性能
机译:C.M.A.R.S.P.—C.M.A.I.F. 6月1日至1969年8月31日的季度报告
机译:内华达州风险评估/管理计划(NRamp) - 第二阶段:季度进展报告,2006年10月1日至2006年12月31日
机译:砷化镓冶金,电气和光学特性的基础研究季度进展报告,1969年10月1日至1969年12月31日