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机译:改善砷化镓半导体器件的电性能的方法
公开/公告号US3251757A
专利类型
公开/公告日1966-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 NORTH AMERICAN PHILIPS COMPANY INC.;
申请/专利号US19610105475
发明设计人 SCHMITZ ALBERT;
申请日1961-04-25
分类号C25F3/12;H01L21/3063;
国家 US
入库时间 2022-08-23 14:35:14
机译: 形成能够改善半导体器件之间的电绝缘性能的半导体器件的器件隔离层的方法
机译: 改善电气性能的半导体设备电缆和制造该半导体设备的方法
机译: 半导体器件及其制造方法,能够通过改善PMOS的电气特性来增强半导体器件的性能和可靠性