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Fundamental studies of the metallurgical, electrical and optical properties of gallium arsenide Quarterly progress report, 1 Oct. - 31 Dec. 1969

机译：砷化镓冶金，电气和光学特性的基础研究季度进展报告，1969年10月1日至1969年12月31日

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Melting points of GaP-metal systems and growth of GaP by vertical liquid epitaxy

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作者
Pearson, G. L.;
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作者单位

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年度 1969
页码 1-8
总页数 8
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
EPITAXY; GALLIUM PHOSPHIDES; MELTING POINTS; SEMICONDUCTOR DEVICES; CRYSTAL STRUCTURE; HIGH TEMPERATURE TESTS; RECTIFIERS; SOLAR CELLS;

机译：外延;镓磷;熔点;半导体器件;晶体结构;高温测试;整流器;太阳能电池;

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