Copper Selenides; Gallium Nitrides; Indium Nitrides; Indium Selenides; Semiconductor Materials; Zinc Tellurides; Crystal Defects; Crystal Doping; Crystal Growth; Electrical Properties; Heterojunctions; Laser Radiation; Microstructure; Vapor Phase Epitaxy;
机译:双靶同时激光烧蚀宽禁带半导体的原位空穴掺杂:GaN和SiC外延膜
机译:脉冲反应交叉激光烧蚀在单晶衬底上外延La_(1-x)Ca_xCoO_(3-δ)薄膜的成核和生长
机译:脉冲激光沉积外延生长钴掺杂BaFe_2As_2薄膜的关键因素
机译:掺杂外延化合物半导体薄膜的脉冲激光沉积
机译:脉冲双激光烧蚀沉积热电钡8镓16锗30型I笼形薄膜的生长和表征。
机译:脉冲激光沉积沉积的Nb掺杂SrsnO3外延膜的电气和光学性能
机译:通过双靶同时激光消融宽间隙半导体的情况下掺杂:GaN和SiC外延薄膜