机译:双靶同时激光烧蚀宽禁带半导体的原位空穴掺杂:GaN和SiC外延膜
Materials Research Institute for Sustainable Development, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Chubu, 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku, Nagoya, 463-8560 Japan;
机译:钒掺杂的宽禁带半导体SiC中的持久光谱孔燃烧
机译:钙钛矿型外延薄膜的制备与表征:由丰富元素组成的p型宽能隙氧化物半导体
机译:宽间隙p型半导体LaCuOSe的外延薄膜的重空穴掺杂及其有效质量分析
机译:通过KrF激光烧蚀和原位激光退火外延生长2- / splμ/μm厚的钛酸钡光学薄膜
机译:激光烧蚀生长镧掺杂钛酸锶锶薄膜的传输性质和超导性。
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:通过双靶同时激光消融宽间隙半导体的情况下掺杂:GaN和SiC外延薄膜
机译:脉冲激光烧蚀生长和外延化合物半导体薄膜的掺杂