法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-11-26
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C16/44 授权公告日:20110511 终止日期:20130929 申请日:20100929
专利权的终止
2011-05-11
授权
授权
机译: 用于液相外延的薄膜生长方法和薄膜生长设备
机译: 基于氧碳化物的薄膜,生长相同的方法,氧化物半导体的薄膜生长,用于制造半导体装置和半导体装置的过程
机译: VO2 PID自适应PID控制溅射系统,用于大面积VO2和氧化物半导体薄膜生长