Gallium Arsenides; Indium; Crystal Structure; Photoluminescence; Crystal Growth; Phosphorus;
机译:InGaAs / InP多量子孔纳米线通过选择区金属有机气相外延生长的径向生长演化
机译:InGaAs / InP多量子孔纳米线通过选择区金属有机气相外延生长的径向生长演化
机译:发射通过金属有机气相外延生长的波长可调(1.55μm区域)InAs / InGaAsP / InP(100)量子点
机译:GaAs(100)上的InGaAs / InP和InAsP / InP量子阱,具有通过气源生长的In / sub x / Ga / sub 1-x / As或In / sub 1-y / Ga / sub y / P缓冲层分子束外延
机译:用于量子盒激光器的GaInAsP / InP有机金属气相外延(OMVPE)
机译:在InP(100)衬底上生长的GaSb / InGaAs II型量子点的结构和光学性质
机译:由金属 - 有机气相外延生长的InGaASP / InP(100)中的波长可调(1.55-μm区域)InAs量子点
机译:蒸汽悬浮外延生长的超薄InGaas / Inp量子阱中原子台阶的光学研究