首页> 中文期刊>厦门大学学报（自然科学版） >InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质

InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用有效质量理论6带模型,研究量子结构变化对In0.53Ga0.47 As/InP量子阱和量子线光学性质的影响.计算结果表明量子线结构可以在更低的注入电子浓度下,得到更高的光学增益,而且具有光学各向异性.说明量子线结构比量子阱结构提高了量子激光器光学性能.

著录项

来源
《厦门大学学报（自然科学版）》|2000年第2期|169-174|共6页
作者
何国敏; 郑永梅; 王仁智; 刘宝林;
展开▼
作者单位

厦门大学物理学系,福建,厦门,361005;

厦门大学物理学系,福建,厦门,361005;

厦门大学物理学系,福建,厦门,361005;

厦门大学物理学系,福建,厦门,361005;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
有效质量理论; 量子线; 光学增益;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料 [J] . 孙殿照 ,阎春辉 ,国红熙 . 半导体情报 . 1991,第6期
2. 1.78μm应变InGaAs-InGaAsP-InP分布反馈量子阱激光器(英文) [J] . 王书荣 ,王辉 ,王宝军 . 光电子．激光 . 2004,第8期
3. MOVPE生长1.55μmInGaAsP材料和InGaAsP/InP量子阱 [J] . 刘宝林 . 吉林大学学报（理学版） . 1993,第004期
4. InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池结构的优化研究 [J] . 董少光 ,陈国杰 . 佛山科学技术学院学报（自然科学版） . 2014,第004期
5. InGaAs/InP界面控制对InGaAs薄膜电学和光学性质的影响 [J] . 郑文龙 ,张亚光 ,顾溢 . 红外与毫米波学报 . 2019,第006期
6. 氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化的研究 [C] . 王永晨 ,赵杰 ,范懿 . 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 . 1999
7. InGaAsP/InP阶梯量子阱中电子散射率研究 [A] . 李正 . 2016

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号