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王永晨; 赵杰; 范懿; 武丽;
中国电子学会;
量子阱; 离子注入; 带隙蓝移;
机译:利用MeV离子注入的带隙移位InGaAsP / InP量子阱波导
机译:使用MeV离子注入的带隙移位InGaAsP / InP量子阱波导
机译:带隙位移的InGaAs / InGaAsP / InP微结构经紫外激光量子阱混合处理后增强了光致发光发射
机译:ingaAsp / Ingaas / InP和Inalgaas / Ingaas / InP量子阱中晶体和砷植入诱导诱导的质子和砷植入植入的比较
机译:通过使用应变平衡和分布布拉格反射器优化InGaAs量子阱,改善GaAs太阳能电池中的子带隙载体收集
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:室温下InGaAs / InP多量子阱激光器中俄歇复合的带隙依赖性实验确定
机译:带隙移动超薄InGaas / Inp量子阱红外光电探测器
机译:-通过介电-半导体盖层的组合在量子阱混合中控制InGaAs / InGaAsP量子阱带隙的方法
机译:低温生长的InP诱导的InGaAsP结构中的量子阱混合
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