Semiconductors; Lasers; Thermal properties; Reprints; Quantum dots; Barriers; High temperature; Threshold effects;
机译:在p包覆层具有多量子势垒的1.55 / spl mu / m InAlGaAs量子阱激光器的改进温度特性
机译:改善1.3μmAlGaInAs-InP非冷却多量子阱激光器高温特性的设计注意事项:势垒中的应变
机译:隧穿注入量子点激光器的特征温度:量子点向外隧穿的影响
机译:具有间接带隙屏障的量子点激光器中的温度特性
机译:使用阱中砷化铟/砷化铟镓镓结构的超低阈值量子点激光器的特性。
机译:通过快速热退火改善1.3μmInAs / GaAs量子点激光器中的基态调制特性
机译:量子点密度和温度对量子点激光特性的影响