电反射法研究n*+*-P硅光电池第一和第二间接带隙

摘要

该文报导采用偏光电反射（ER）法测定N[*+*]-P结Si的间接光学带隙。在1.05-1.90ev入射光子能量范围内，观测到两组ER结构。对ER谱采用Aspnes三点调整法计算带间能量，初步确定：室温（293K）Si的第一间接（∑25′-△1）光学能隙为1.16eV；第二间接（∑25′-L1）能隙为1.61ev。（本刊录）