Wide gap semiconductors; Epitaxial growth; Substrates; Field effect transistors; Radar; Zinc oxides; Data storage systems; Silicon carbides; Solid state electronics; Heterojunction bipolar transistors; Aluminum nitrides; Light emitting diodes; Ultraviolet detectors; Mosfet semiconductors; Microwave communications; Microwave amplifiers; Diode lasers; Gallium nitrides;
机译:具有禁忌频率或禁忌波数带的脉冲传播模型:放弃缓慢变化的包络近似并考虑高阶色散的后果
机译:具有禁忌频率或禁忌波数带的脉冲传播模型:放弃缓慢变化的包络近似并考虑高阶色散的后果
机译:具有禁忌频率或禁忌波数带的脉冲传播模型:放弃缓慢变化的包络近似并考虑高阶色散的后果
机译:带状图,振动模式以及热环境下弹性超材料的禁区的变化
机译:在过渡金属配合物的EPR谱中计算双峰分离和允许的和禁止的超精细转变的强度。
机译:具有偶极子禁带跃迁的半导体生物激发的带边激光作用
机译:学习者在管理教育中的责任,或进入禁止研究的风险(附评论)