一种二维晶体禁带荧光偏振性调制装置的制备方法

摘要

本发明公开了一种二维晶体禁带荧光偏振性调制装置的制备方法，该方法包括：提供一高导电材料衬底；在该高导电材料衬底上氧化一绝缘层；在该绝缘层上沉积一二维晶体单层；在该二维晶体单层上蒸镀一透光介质层；在透光介质层上旋涂电子束负胶；对负胶进行电子束曝光并显影，在负胶上得到纳米结构图案；在显影后的负胶上蒸镀一金属层；以及除去剩余负胶得到在透光介质层上的具有周期性单元结构的金属纳米超材料。本发明制备得到的用于调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置，利用金属纳米超材料各向异性共振场调控半导体荧光场，实现偏振荧光并达到偏振可调的目的，有效拓宽了二维晶体禁带荧光的线性可调范围和温度适用范围。