Single crystals; Simulation; Reprints; Dislocations; Discrete distribution; Poisson equation; Plastics; Anisotropy; Three dimensional; Elastic properties;
机译:估算微米级单晶中单端位错源的强度
机译:单端脱位源控制微米FCC晶体的理论辩护
机译:晶粒尺寸和位错源密度对多晶强化行为的影响:二维离散位错模拟
机译:LEC INP单晶的表征:SIMS,EPD,激光散射,断层扫描,PL映射之间的相关性;与掺杂剂,脱臼和晶体大小的关系
机译:基于位错的机制的直接证据作为旋转晶格单(RLS)晶体中的晶格旋转来源
机译:使用贝叶斯层次模型从多个数据源估计有感染艾滋病毒风险的人口规模
机译:位错循环作为超高纯铝合金单晶的空位源,脱位密度低