Diodes(Semiconductor) ; Radiation damage ; Silicon ; Neutron reactions ; Avalanche diodes ; Space charges ; Doping ; Tunneling(Electronics);
机译:光电子器件注入Ⅲ族氮化物半导体的损伤形成和退火研究
机译:基于物理的双极结型晶体管瞬态中子损伤的器件模型
机译:高能中子轰击的Si,GaAs和InSb半导体中损坏区域的证据
机译:半导体器件的静电放电损伤及缺陷损伤失效分析技术研究
机译:研究中子辐射环境中的时间和光谱依赖性,以进行半导体损伤研究
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:硅半导体器件中子辐射损伤模拟。
机译:利用结器件研究半导体中子损伤最终报告