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Subsurface Atomic Displacements at the GaAs(110) Surface.

机译：Gaas（110）表面的次表面原子位移。

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作者
Kahn, A.; So, E.; Mark, P.; Duke, C. B.;
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年度 1977
页码 1-5
总页数 5
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Crystal structure; Gallium arsenides; Displacement; Surface properties; Low energy; Electron diffraction; Reprints; Crystal defects;

机译：晶体结构;砷化镓;位移;表面性质;低能量;电子衍射;重印;晶体缺陷;

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