Semiconductors; Excitation; Recombination reactions; Optical properties; Photoluminescence; Auger electrons; Saturation; Impurities; Infrared radiation; Nonlinear systems; Mercury cadmium tellurides;
机译:设计有前途的中红外非线性光学材料的新策略:缩小带隙以实现大的非线性光学效率,并降低高激光诱导损伤阈值的热效应
机译:混合碘化碘化钙钛矿半导体:有源孤对,结构失真,直接和间接能隙以及强大的非线性光学特性
机译:调查过渡金属氧化物对PbCl2-TEO2玻璃温度依赖性光学性质的影响,以透明大带隙半导体评价
机译:高压下有机宽带间隙半导体的光学性质
机译:p型氟化钡铜,氟化钡铜硒,氟化钡铜碲和n型氧化锌铟宽带隙半导体的脉冲激光沉积和薄膜特性。
机译:设计有前途的中红外非线性光学材料的新策略:缩小带隙以实现较大的非线性光学效率并降低高激光诱导损伤阈值的热效应
机译:III-V氮化物宽带隙半导体的光学和电学特性。年报,1997年4月1日至1998年5月31日