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半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件

摘要

本发明提供一种半导体光学器件的制造方法、半导体光学激光元件的制造方法以及半导体光学器件。本发明的包含半导体层的半导体光学器件的制造方法为,在半导体层叠结构(12-18)表面的第一区域上形成第一电介质膜(26),在半导体层叠结构(12-18)表面的第二区域上形成具有比第一电介质膜(26)高的密度的第二电介质膜(25),在由于对第二电介质膜(25)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量变得大于由于对第一电介质膜(26)下部的半导体层进行的热处理所引起的带隙的变化量的温度区域实施热处理,在第一电介质膜(26)下部的半导体层叠结构(12-18)上形成窗区域(23)。

著录项

  • 公开/公告号CN102474071B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 古河电气工业株式会社;

    申请/专利号CN201080027929.3

  • 发明设计人 谷口英广;

    申请日2010-06-09

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人张远

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-22

    授权

    授权

  • 2012-07-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/16 申请日:20100609

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    公开

    公开

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