Microprocessors; Protons; Spacecraft components; Cosmic rays; Microelectronics; Dosage; Failure; Spaceborne; Intensity; High rate; Orbits; Cross sections;
机译:Geant4模拟三维管芯堆叠SRAM器件中质子诱导的单事件翻转
机译:能量散布对65 nm SRAM单元中质子诱导的单事件翻转测试的影响
机译:在40 nm技术节点上,中子和质子诱导的单事件翻转用于D和DICE翻转/触发器设计
机译:质子诱导的90nm技术高性能SRAM存储器中的单事件翻转
机译:预测质子诱导的单事件不安发生率。
机译:缓解癫痫神经刺激器的位翻转或单事件不适
机译:蓝宝石和绝缘体上硅质子引起的质子诱导的单事件扰动的角度效应