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单事件干扰稳定的存储器单元

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摘要

单事件干扰(SEU)稳定的存储器单元包括：锁存器部分，该锁存器部分包括交叉耦合的锁存器；以及该锁存器部分中的至少一个交叉耦合电路路径，该至少一个交叉耦合电路路径包括串联连接的第一对竖直电阻器。

公开/公告号CN113597642A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-02

原文格式PDF
申请/专利权人美高森美SOC公司;
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申请/专利号CN201980093382.8
发明设计人薛丰良;F·扎维;P·辛加拉朱;V·恩古延;J·L·麦科勒姆;V·赫克特;
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申请日2019-07-23
分类号G11C11/412(20060101);G11C5/00(20060101);G11C13/00(20060101);G11C14/00(20060101);G11C11/00(20060101);G11C29/00(20060101);G11C29/42(20060101);G11C29/44(20060101);G11C29/52(20060101);H01L45/00(20060101);G11C29/04(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人姚丹红;蔡悦
地址美国亚利桑那州
入库时间 2023-06-19 13:04:03

1. 单事件干扰稳定的存储器单元 [P] . 中国专利： CN113597642A . 2021-11-02
2. 存储器单元、形成双晶体管单电容器存储器单元阵列的方法及用于制作集成电路的方法 [P] . 中国专利： CN107799523A . 2018-03-13
3. Random access memory immune to single event upset using a T- resistor [P] . 美国专利： US4809226A . 1989-02-28

机译：使用T电阻的随机存取存储器不受单事件干扰
4. Single-event-upset resistant memory cell with triple well [P] . 美国专利： US8773929B1 . 2014-07-08

机译：具有三阱的单事件抗干扰存储单元
5. Apparatus for hardening a static random access memory cell from single event upsets [P] . 美国专利： US7468904B2 . 2008-12-23

机译：用于增强静态随机存取存储单元免受单事件干扰的设备