机译:高级商业完全耗尽的SOI SRAM中的中子和质子诱导的单事件扰动
机译:Geant4模拟三维管芯堆叠SRAM器件中质子诱导的单事件翻转
机译:能量散布对65 nm SRAM单元中质子诱导的单事件翻转测试的影响
机译:质子诱导的90nm技术中的单一事件upsets高性能SRAM存储器
机译:预测质子诱导的单事件不安发生率。
机译:缓解癫痫神经刺激器的位翻转或单事件不适
机译:90nm CMOS技术的单端6T SRAM单元分析和电荷回收存储架构的实现
机译:sEU(单事件翻转)容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究(静态随机存取存储器)