机译:在GaAs / AlGaAs量子阱的正向和反向界面处铟原子的不同偏析长度的光谱证据
In-plane optical anisotropy; Reflectance difference spectroscopy; Inserted InAs layer; Segregation length; Direct and inverted interfaces;
机译:在GaAs / AlGaAs量子阱的正向和反向界面处铟原子的不同偏析长度的光谱证据
机译:界面Al偏析限制了AlGaAs / GaAs量子阱反向界面的电子迁移率
机译:GaAs / AlAs II型超晶格中正反界面不对称的光谱学证据
机译:Ga和Al原子在AlGaAs生长过程中各向异性扩散对周期性倒相AlGaAs波导的影响
机译:半填充AlGaAs / GaAs二维电子系统中的量子输运
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:Gaas / alGaas三量子阱中倾斜磁场引起的量子霍尔层间隧道间隙坍塌的光谱证据