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郑宝真; 赛纳;
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;
光荧光; 量子阱; 镓离子注入; 砷化镓;
机译:离子注入诱导混合定义的AlGaAs-GaAs多量子阱光耦合器的理论研究
机译:GaAs / AlGaAs双量子阱耦合的杂化GaAs / AlGaAs / ZnMnSe结构中电子自旋注入的动力学
机译:GaAs / AlGaAs量子阱红外光电探测器中多能质子注入诱导量子阱混合
机译:GaAs:AlGaAs超晶格在周期性量子阱混合中的三波混合:建模,优化和参数生成。
机译:通过圆偏振光激发的自旋光电流研究无掺杂InGaAs / AlGaAs多量子阱中的自旋输运
机译:单片集成多个InGaAs / AlGaAs和GaAs / AlGaAs量子阱系统中光激发载流子的隧穿竞争
机译:正常入射高性能p型应变层InGaas / alGaas和Gaas / alGaas量子阱红外光电探测器的研究
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
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