...
机译:使用高压在1.3μmInGaAsP,AlGaInAs和GaInNAs激光器中模态折射率的波长依赖性
机译:使用高压在1.3μmInGaAsP,AlGaInAs和GaInNAs激光器中模态折射率的波长依赖性
机译:静压显示1.3 / spl mu / m AlGaInAs基MQW半导体二极管激光器的温度依赖性得到改善
机译:1.3#mu#m InGaAsP量子阱半导体二极管激光器中阈值电流的静水压依赖性
机译:1.3 / spl mu / m GaInNAs / GaAs,InGaAsP / InP和AlGaInAs / InP基半导体激光器的本征温度灵敏度
机译:导波光学中的主题:单波长蚀刻耦合腔铟镓-砷磷/铟磷半导体激光器的发射功率为1.3微米,大功率半导体激光阵列的发射率和入射角为三角形。
机译:波长调制光谱法在近红外区中的温室气体的二极管激光检测:检测灵敏度的压力依赖性
机译:在低温和室温下高压下测量的1.3μmInGaAsP和1.5μmInGaAs量子阱激光器的辐射和俄歇复合
机译:用于波分复用高速分布式计算的InGaasp / Inp基1.3 / 1.55微米垂直腔面发射激光器。阶段1。